精确测量半导体器件内电场的突破性方法

2021-06-28 14:42  

  布里斯托大学的一支研究团队,刚刚发现了一种能够实现更快的通信系统、并且让电子设备更加节能的新方法。据悉,这项研究的重点,在于突破性地通过远程方式,测得了半导体器件内部的电场。以常见的硅基半导体材料为例,其特点是能够控制电子设备的电流,此外还有氮化镓(GaN)等新型半导体方案。

  在 2021 年 6 月 21 日发表于《自然电子学》(Nature Electronics)上的新论文中,科学家们概述了他们是如何精确量化该电场的,意味着能够开发出具有更快潜力的下一代功率与射频电子器件,同时让它变得更加可靠和节能。

  传统半导体器件的研发设计,可以通过反复试验来进行。但目前更常见的,还是基于器件的模拟,然后为实际应用的半导体器件制造提供理论等方面的基础。

  不过在涉及新兴的半导体材料时,研究人员通常也难以估量这些模拟实际上有多准确。

  布里斯托尔大学物理学院的 Martin Kuball 教授表示:“半导体可用于传导正负电荷,并被设计成能够调节和操纵电流。然而相关理论并不仅限于硅基半导体,比如此前常用于蓝光 LED 的氮化镓”。

  以能够将交流电转换成直流电的开关型电源适配器为例,其一大短板就是会产生废热损失。想想那些体型大如砖头的笔记本电脑电源适配器,如果我们能够提升其转换效率并减少废热,即可达成节约能源的目的。

  研究人员指出,当向电子设备施加电压时,另一端就可输出电流。而电子设备内部形成的电场,就决定了设备的工作方式、运行时间、以及状态信息。

  此前无人能真正测量到这个电场,但它对设备的操作至关重要。毕竟只依赖于模拟方案,其可信度是相当一般的,除非你可以实现精准的测量。

  为了使这些新材料具有良好的性能、并用于打造持久耐用的电子设备,研究人员需要努力找到最佳的设计方案。换言之,电子器件中的电场,不该超过会导致其退化或故障的临界值。

  为此,专家们纷纷将目光瞄向了氮化镓等新兴材料、而不是传统硅基半导体方案。其允许在更高的频率和电压下运行,从而减少能量损失、并催生新兴的电路应用。

  布里斯托大学研究团队新发表的这篇新文章,就着重介绍了《亚微米分辨率下的宽带隙半导体器件的电场映射》。相关突破得益于一种新型光学工具,它能够用于直接测量这些新装置中的电场。

  此举为将来高效能电力电子应用提供了有力的支撑,从而推动向国家电网、电动汽车、高铁、航空器等供电的太阳能或风力涡轮机的进一步发展。

  Martin Kuball 教授指出,这些设备能够在更高的电压下运行,意味着其中的电场更高、也更容易出现故障。

  而他们新开发的技术,能够更加量化地测量设备内的电场,从而提供准确校准的模拟数据,进而推动电子设备的设计发展,使之不因电场超过临界限制而发生故障。

  如果一切顺利,这项技术有望让超宽带隙设备技术成为现实,从而节省全球超过 10% 的能源。

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